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• 21．

  High Sensitive Ultraviolet PIN Photodiodes of ZnSSe n+-i-p Structure/p+-GaAs with extremely thin n+-Window layer grown by MBE 、 K. Miki, Y. Oshita, D. Katada, K.Nobe, M.Nomura, M.Adachi, T.Abe, H. Kasada, K. Ando 、 J. Korean Phys. Society 、 53巻 5号 （頁 2925 ～ 2928） 、 2008年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 22．

  Blue Waveguide Stark-effect Optical-Modulators of ZnSe/ZnMgSSe Asymmetric Coupled Quantum Wells 、 T. Nishiguchi, N. Yamane, H. Kozeni, T. Yoshida, T. Abe, H. Kasada, and K. Ando 、 26th Electronic Materials Symposium 、 0巻 0号 （頁 297 ～ 298） 、 2007年 、 国際会議proceedings 、 共著 、 英語

• 23．

  Development of high efficient green LEDs of ZnSSe:Te-ZnMgSSe DH structure on p-GaAs and its degradation mechanism 、 T. Abe, K. Makimoto, M. Adachi, T. Tanikawa, N. Inoue, T. Nishinaga, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 3巻 4号 （頁 1152 ～ 1155） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 24．

  Theoretical investigation on the structual properties of ZnO grown on sapphire 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Ebisuzaki, T. Abe, and K. Ando 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 4巻 0号 （頁 544 ～ 547） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 25．

  Slow-mode degradation mechanism and its control in new bright and long-lived ZnSe white LEDs 、 M. Adachi, K. Ando, T. Abe, N. Inoue, A. Urata, S. Tsutsumi, Y. Hashimoto, H. Kasada, H. Kasada, K. Katayama, and T. Nakamura 、 phys. stat. sol. (b) 、 243巻 4号 （頁 943 ～ 949） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 26．

  High sensitive ultraviolet PIN photodiodes of ZnSSe n+-i-p structure / p+-GaAs substrate grown by MBE 、 K. Miki, T. Abe, J. Naruse, K. Ikumi, T. Yamaguchi, H. Kasada, and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 243巻 4号 （頁 950 ～ 954） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 27．

  High efficiency blue-violet optical modulators of ZnSe/ZnMgSSe asymmetric coupled quantum wells 、 T. Abe, T. Yoshida, N. Yamane, T. Nishiguchi, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 3巻 4号 （頁 1209 ～ 1212） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 28．

  First-Principles Calculation for the the Polarity During ZnO Crystal Grown on the C-Terminated 6H-SiC (000-1) Surface 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Ebisuzaki, T. Abe, and K. Ando 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 45巻 6A号 （頁 4926 ～ 4928） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 29．

  Epitaxial growth of ZnO crystal on the Si-terminated 6H-SiC (0001) surface using the first-principles calculation 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Abe, and K. Ando 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 4巻 0号 （頁 254 ～ 257） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 30．

  High Gain and High Sensitive Blue-Ultraviolet Avalanche Photodiodes (APDs) of ZnSSe n+-i-p Structure Molecular Beam Epitaxy (MBE) Grown on p-type GaAs Substrates 、 Tomoki ABE, Koshi ANDO, Katsushi IKUMI, Hiroyasu MAETA, Junji NARUSE, Kouhei MIKI, Akihiro EHARA and Hirofumi KASADA 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 44巻 17号 （頁 L508 ～ L510） 、 2005年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 31．

  Enhanced quantum-confined Stark effect in ZnSe/ZnMgSSe asymmetric coupled quantum wells for blue-ultraviolet optical modulators 、 T. Abe, Y. Ohmura, K. Sasaibe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 4巻 1号 （頁 1058 ～ 1061） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 32．

  The role of N-related point defects in the degradation process of ZnSe-based white light-emitting diodes 、 Koji Katayama, Masahiro Adachi, Tomoki Abe, Akihiro Urata, Sueyuki Tsutsumi, Noboru Inoue, Takao Nakamura and Koshi Ando 、 J. Appl. Phys. 、 96巻 11号 （頁 6789 ～ 6793） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 33．

  Slow mode degradation mechanism of ZnSe based white LEDs 、 Masahiro Adachi, Koshi Ando, Tomoki Abe, Sueyuki Tsutsumi, Noboru Inoue, Hirofumi Kasada, Koji Katayama and Takao Nakamura 、 phys. stat. sol. (b) 、 241巻 3号 （頁 751 ～ 758） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 34．

  New blue-ultraviolet PIN photodiodes of II-VI widegap compounds ZnSSe using p-type GaAs substrates grown by molecular beam epitaxy 、 T. Abe, H. Maeta, J. Naruse, K. Ikumi, T. Kubota, T. Fujiwara, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 4巻 1号 （頁 1054 ～ 1057） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 35．

  Blue-violet Avalanche-photodiode (APD) and its ionization coefficients in II-VI wide bandgap compound grown by molecular beam epitaxy 、 H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, M. Adachi, T. Abe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1085 ～ 1088） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 36．

  Widegap II-VI compound optical modulators of ZnSe/ZnMgSSe single and asymmetric-coupled quantum wells 、 T. Abe, H. Yamada, N. Itano, T. Kusuhara, Y. Ohmura, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1081 ～ 1084） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 37．

  Mechanism of slow-mode degradation in II-VI wide bandgap compound based blue-green laser diodes 、 M. Adachi, H. Yukitake, M. Watanabe, K. Koizumi, H. C. Lee, T. Abe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1049 ～ 1053） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 38．

  Highly efficient blue-ultraviolet photodetectors based on II-VI wide-bandgap compound semiconductors 、 K. Ando, H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, T. Abe and H. Kasada 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1065 ～ 1071） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 39．

  High efficiency and long-lived green and blue light emitting diodes based on ZnSSe:Te active layer grown by molecular beam epitaxy 、 H. C. Lee, N. Kaneko, M. Watanabe, Y. Fujita, T. Abe, H. Ishikura, M. Adachi, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1043 ～ 1047） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

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