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• 1．

  p-type nonpolar a-ZnO:N thin films on r-sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy 、 N. Maekawa, H. Nakayama, N. Yamane, K. Irie, T. Abe, H. Kasada, K. Ichino, and K. Akaiwa 、 J. Electronic Materials 、 49巻 8号 （頁 4474 ～ 4478） 、 2020年03月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 2．

  High gain ultraviolet avalanche photodiodes using ZnSe-based organic-inorganic hybrid structure 、 Y. Ichikawa, K. Tanaka, K. Nakagawa Y. Fujii. K. Yoshida, K. Nakamura, R. Miyazaki, T. Abe, H. Kasada, K. Ichino, and K. Akaiwa 、 J. Electronic Materials 、 49巻 8号 （頁 4589 ～ 4593） 、 2020年02月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 3．

  白色発光ダイオードの駆動電流パルス幅制御による高出力動作を用いた植物栽培 、 原田 宜明, 笠田 洋文, 安東 孝止, 阿部 友紀, 市野 邦男 、 材料 、 67巻 9号 （頁 834 ～ 839） 、 2018年09月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 日本語

• 4．

  Molecular beam epitaxy and p-type doping of ZnMgSTe quaternary alloys 、 K. Ichino, K. Sahashi, N. Nanba, T. Nakashima, Y. Tomita, K. Akaiwa, and T. Abe 、 J. Electronic Materials 、 47巻 8号 （頁 4321 ～ 4324） 、 2018年08月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 5．

  Degradation and its control of ultraviolet avalanche photodiodes using PEDOT:PSS/ZnSSe organic–inorganic hybrid structure 、 T. Abe, S. Uchida, K. Tanaka, T. Fujisawa, H. Kasada, K. Ando, K. Akaiwa, and K. Ichino 、 J. Electronic Materials 、 47巻 8号 （頁 4385 ～ 4387） 、 2018年08月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 6．

  ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers 、 Kunio Ichino, Shota Kashiyama, Nao Nanba, Hiroyasu Hasegawa, Tomoki Abe 、 phys. stat. sol. (b) 、 253巻 8号 （頁 1476 ～ 1479） 、 2016年08月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 7．

  Development of ZnSe-based organic–inorganic hybrid UV-APDs array 、 Tomoki Abe, Ryoichi Inoue, Takeru Fujimoto, Kenta Tanaka, Shigeto Uchida, Hirofumi Kasada, Koshi Ando, and Kunio Ichino 、 phys. stat. sol. (c) 、 13巻 7-9号 （頁 677 ～ 682） 、 2016年07月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 8．

  Quantum confined Stark effect of polar and non-polar ZnO/ZnMgO quantum wells grown by MBE 、 Tomoki Abe, Tatsuya Motoyama, Masaya Yamamoto, Atsushi Yamamoto, Shohei Iwagashita, Hirofumi Kasada, Koshi Ando, and Kunio Ichino 、 phys. stat. sol. (c) 、 13巻 7-9号 （頁 602 ～ 605） 、 2016年07月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 9．

  ZnSe-based organic–inorganic hybrid structure ultraviolet avalanche photodiodes with long lifetime and its device integration 、 R. Inoue, T. Abe, T. Fujimoto. N. Ikadatsu, K. Tanaka, S. Uchida, A. Tazue, H. Kasada, K. Ando, and K. Ichino 、 Appl. Phys. Express 、 8巻 2号 （頁 22101 ～ ） 、 2015年01月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 10．

  Low dark current and stable ultraviolet avalanche photodiode of organic (PEDOT:PSS)-inorganic (ZnSSe) hybrid junction structure 、 Tomoki Abe, Noriyuki Ikadatsu, Ryoichi Inoue, Takeru Fujimoto, Kenta Tanaka, Akio Tazue, Yusuke Inagaki, Masahiro Ebisu, Hirofumi Kasada and Koshi Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 11巻 7-8号 （頁 1300 ～ 1303） 、 2014年03月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 11．

  Fermi-level pinning by carrier compensating midgap donor defect band in homoepitaxially grown p-type ZnO by MBE 、 T. Masamoto, K. Noda, T. Maejima, R. Natsume, T. Matsuo, A. Akiyama, T. Yukue, S. Hiroe, T. Abe, H. Kasada, Y. Harada, and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 11巻 7-8号 （頁 1353 ～ 1356） 、 2014年03月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 12．

  Growth mechanisms of ZnO(0001) investigated using the first-principles calculation 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Abe, and K. Ando 、 J. Appl. Phys. 、 112巻 （頁 64301 ～ ） 、 2012年09月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 13．

  New ultraviolet avalanche photodiodes (APDs) of organic (PEDOT: PSS)–inorganic (ZnSSe) hybrid structure 、 Y. Inagaki, M. Ebisu, M. Otsuki, N. Ayuni, T. Shimizu, T. Abe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 9巻 8-9号 （頁 1852 ～ 1855） 、 2012年05月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 14．

  Stark effects of ZnO thin film and ZnO/ZnMgO quantum wells 、 K. Sato, T. Abe, R. Fujinuma, K. Yasuda, T. Yamaguchi, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 9巻 8-9号 （頁 1801 ～ 1804） 、 2012年05月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 15．

  Current-pulse-width control of degradation in II-VI and III-N compound blue-UV-white LEDs 、 Y. Harada, K. Ando, S. Nakagawa, H. Sakamoto, T. Abe and H. Kasada 、 phys. stat. sol. (c) 、 9巻 8-9号 （頁 1844 ～ 1847） 、 2012年05月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 16．

  PN接合型ガードリングを形成した青-紫外光波帯・ワイドギャップ半導体アバランシェフォトダイオード(APD)の開発 、 稲垣雄介，延一樹，野村まり，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止 、 電子情報通信学会論文誌C 、 J95-C巻 1号 （頁 18 ～ 23） 、 2012年01月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 日本語

• 17．

  Structural instability of N-acceptors in homo- and heteroepitaxially grown ZnO by MBE 、 K. Ando, T. Abe, T. Taya, Y. Ishihara, K. Enomoto, Y. Yamazaki, J. Yoshikawa, K. Fujino, H. Nakamura, T. Ohno, and H. Kasada 、 phys. stat. sol. (b) 、 247巻 6号 （頁 1453 ～ 1456） 、 2010年04月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 18．

  High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with transparent conducting polymer window-layer 、 T. Abe, D. Katada, K. Miki, K. Tanaka, M. Nomura, Y. Inagaki, T. Tani, M. Ohtsuki, H. Kasada, and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 7巻 6号 （頁 1706 ～ 1708） 、 2010年03月 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 19．

  Demonstration of Practical Blue Waveguide Stark-Effect Modulators of ZnSe/ZnMgSSe Asymmetric Coupled Quantum Wells 、 T. Abe, N. Yamane, T. Nishiguchi, H. Kozeni, T. Yoshida, M. Adachi, H. Kasada and K. Ando 、 J. Korean Phys. Society 、 53巻 1号 （頁 94 ～ 97） 、 2008年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 20．

  New Defect Control for Extremely Long-Lived Widegap-White Light Emitting Diodes 、 K. Ando, Y. Hashimoto, K. Kanzaki, S. Ohashi, Y. Morita, T. Abe, H. Kasada, and M. Adachi 、 J. Korean Phys. Society 、 53巻 5号 （頁 2857 ～ 2860） 、 2008年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 21．

  High Sensitive Ultraviolet PIN Photodiodes of ZnSSe n+-i-p Structure/p+-GaAs with extremely thin n+-Window layer grown by MBE 、 K. Miki, Y. Oshita, D. Katada, K.Nobe, M.Nomura, M.Adachi, T.Abe, H. Kasada, K. Ando 、 J. Korean Phys. Society 、 53巻 5号 （頁 2925 ～ 2928） 、 2008年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 22．

  Blue Waveguide Stark-effect Optical-Modulators of ZnSe/ZnMgSSe Asymmetric Coupled Quantum Wells 、 T. Nishiguchi, N. Yamane, H. Kozeni, T. Yoshida, T. Abe, H. Kasada, and K. Ando 、 26th Electronic Materials Symposium 、 0巻 0号 （頁 297 ～ 298） 、 2007年 、 国際会議proceedings 、 共著 、 英語

• 23．

  Development of high efficient green LEDs of ZnSSe:Te-ZnMgSSe DH structure on p-GaAs and its degradation mechanism 、 T. Abe, K. Makimoto, M. Adachi, T. Tanikawa, N. Inoue, T. Nishinaga, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 3巻 4号 （頁 1152 ～ 1155） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 24．

  Theoretical investigation on the structual properties of ZnO grown on sapphire 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Ebisuzaki, T. Abe, and K. Ando 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 4巻 0号 （頁 544 ～ 547） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 25．

  Slow-mode degradation mechanism and its control in new bright and long-lived ZnSe white LEDs 、 M. Adachi, K. Ando, T. Abe, N. Inoue, A. Urata, S. Tsutsumi, Y. Hashimoto, H. Kasada, H. Kasada, K. Katayama, and T. Nakamura 、 phys. stat. sol. (b) 、 243巻 4号 （頁 943 ～ 949） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 26．

  High sensitive ultraviolet PIN photodiodes of ZnSSe n+-i-p structure / p+-GaAs substrate grown by MBE 、 K. Miki, T. Abe, J. Naruse, K. Ikumi, T. Yamaguchi, H. Kasada, and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 243巻 4号 （頁 950 ～ 954） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 27．

  High efficiency blue-violet optical modulators of ZnSe/ZnMgSSe asymmetric coupled quantum wells 、 T. Abe, T. Yoshida, N. Yamane, T. Nishiguchi, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 3巻 4号 （頁 1209 ～ 1212） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 28．

  First-Principles Calculation for the the Polarity During ZnO Crystal Grown on the C-Terminated 6H-SiC (000-1) Surface 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Ebisuzaki, T. Abe, and K. Ando 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 45巻 6A号 （頁 4926 ～ 4928） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 29．

  Epitaxial growth of ZnO crystal on the Si-terminated 6H-SiC (0001) surface using the first-principles calculation 、 K. Fujiwara, A. Ishii, T. Abe, and K. Ando 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 4巻 0号 （頁 254 ～ 257） 、 2006年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 30．

  High Gain and High Sensitive Blue-Ultraviolet Avalanche Photodiodes (APDs) of ZnSSe n+-i-p Structure Molecular Beam Epitaxy (MBE) Grown on p-type GaAs Substrates 、 Tomoki ABE, Koshi ANDO, Katsushi IKUMI, Hiroyasu MAETA, Junji NARUSE, Kouhei MIKI, Akihiro EHARA and Hirofumi KASADA 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 44巻 17号 （頁 L508 ～ L510） 、 2005年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 31．

  Enhanced quantum-confined Stark effect in ZnSe/ZnMgSSe asymmetric coupled quantum wells for blue-ultraviolet optical modulators 、 T. Abe, Y. Ohmura, K. Sasaibe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 4巻 1号 （頁 1058 ～ 1061） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 32．

  The role of N-related point defects in the degradation process of ZnSe-based white light-emitting diodes 、 Koji Katayama, Masahiro Adachi, Tomoki Abe, Akihiro Urata, Sueyuki Tsutsumi, Noboru Inoue, Takao Nakamura and Koshi Ando 、 J. Appl. Phys. 、 96巻 11号 （頁 6789 ～ 6793） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 33．

  Slow mode degradation mechanism of ZnSe based white LEDs 、 Masahiro Adachi, Koshi Ando, Tomoki Abe, Sueyuki Tsutsumi, Noboru Inoue, Hirofumi Kasada, Koji Katayama and Takao Nakamura 、 phys. stat. sol. (b) 、 241巻 3号 （頁 751 ～ 758） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 34．

  New blue-ultraviolet PIN photodiodes of II-VI widegap compounds ZnSSe using p-type GaAs substrates grown by molecular beam epitaxy 、 T. Abe, H. Maeta, J. Naruse, K. Ikumi, T. Kubota, T. Fujiwara, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (c) 、 4巻 1号 （頁 1054 ～ 1057） 、 2004年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 35．

  Blue-violet Avalanche-photodiode (APD) and its ionization coefficients in II-VI wide bandgap compound grown by molecular beam epitaxy 、 H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, M. Adachi, T. Abe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1085 ～ 1088） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 36．

  Widegap II-VI compound optical modulators of ZnSe/ZnMgSSe single and asymmetric-coupled quantum wells 、 T. Abe, H. Yamada, N. Itano, T. Kusuhara, Y. Ohmura, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1081 ～ 1084） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 37．

  Mechanism of slow-mode degradation in II-VI wide bandgap compound based blue-green laser diodes 、 M. Adachi, H. Yukitake, M. Watanabe, K. Koizumi, H. C. Lee, T. Abe, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1049 ～ 1053） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 38．

  Highly efficient blue-ultraviolet photodetectors based on II-VI wide-bandgap compound semiconductors 、 K. Ando, H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, T. Abe and H. Kasada 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1065 ～ 1071） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

• 39．

  High efficiency and long-lived green and blue light emitting diodes based on ZnSSe:Te active layer grown by molecular beam epitaxy 、 H. C. Lee, N. Kaneko, M. Watanabe, Y. Fujita, T. Abe, H. Ishikura, M. Adachi, H. Kasada and K. Ando 、 phys. stat. sol. (b) 、 229巻 2号 （頁 1043 ～ 1047） 、 2002年 、 学術雑誌 、 査読有り 、 共著 、 英語

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